Heterojunction oxide thin-film transistors with unprecedented electron mobility grown from solution
来源:
|
作者:sxsfdx
|
发布时间: 1772天前
|
784 次浏览
|
分享到:
H. Faber, S. Das, Y. Lin, N. Pliatsikas, K. Zhao, A. Amassiasn, P. P. Patsalas, T. D. Anthopoulos,* Sci. Adv. 2017, 3, e1602640.
H. Faber, S. Das, Y. Lin, N. Pliatsikas, K. Zhao, A. Amassiasn, P. P.
Patsalas, T. D. Anthopoulos,* Sci.
Adv. 2017, 3, e1602640.